温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本申请公开了一种金属互连结构的刻蚀方法，包括：通过光刻工艺在抗反射层上除目标区域以外的其它区域覆盖光阻，抗反射层形成于第一介质层上，第一介质层形成于第二介质层上，第二介质层形成于第三介质层上，第三介质层中形成有金属连线；通过包括低刻蚀比的反...该专利属于华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。