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本发明公开了一种沟槽栅的制造方法，包括步骤：步骤一、进行刻蚀形成栅极沟槽；步骤二、采用在HCl气氛下对硅衬底进行烘烤的方法对栅极沟槽进行圆化；Cl‑离子的刻蚀作用产生的硅消耗效应对栅极沟槽的顶部开口宽度的影响大于H+离子的圆化作用产生的硅堆...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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