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本发明提供一种能够抑制半导体晶片的非照射面的温度上升并且能够高效地对照射面进行加热的激光退火方法。使激光脉冲周期性地入射于半导体晶片从而进行退火。此时，使下一周期的激光脉冲入射于基于上一次的激光脉冲的入射而温度上升后处于冷却过程中的位置。...
该专利属于住友重机械工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过住友重机械工业株式会社授权不得商用。

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