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一种在石墨烯上生长GaN薄膜的方法，属于半导体技术领域。其首先是在衬底层上生长石墨烯层，然后利用等离子体对生长的石墨烯层表面进行预处理；之后采用MOCVD方法在石墨烯层上依次外延生长AlN缓冲层和GaN层，生长源为三甲基铝、三甲基镓和高纯氨...
该专利属于吉林大学所有，仅供学习研究参考，未经过吉林大学授权不得商用。

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