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本发明涉及一种高K值氧化锆钛复合绝缘层薄膜及其晶体管制备方法，属于晶体管技术领域。该方法包括以下步骤：S1：乙酰丙酮锆溶解于二甲基甲酰胺DMF中，浓度为0.1～0.5摩尔/升；然后加入一定体积的二乙醇胺；最后加热搅拌形成透明澄清的氧化锆前驱...
该专利属于重庆邮电大学所有，仅供学习研究参考，未经过重庆邮电大学授权不得商用。

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