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3D非易失性存储器的子区块大小缩减制造技术
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文档序号:26652061
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本发明题为“3D非易失性存储器的子区块大小缩减”。本公开描述了使用掩埋源极线减小三维非易失性存储器的物理存储器块内的子区块的大小的系统和方法。物理存储器块可以使用双掩埋源极线来制造,使得物理存储器块内的子区块可以在水平字线方向和竖直NAND...
该专利属于闪迪技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过闪迪技术有限公司授权不得商用。
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