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量子点光刻胶、由其获得的量子点发光层、包含该量子点发光层的QLED及其制备和应用制造技术
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文档序号:26650050
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本发明涉及一种适于光刻制备具有纳米级厚度的量子点发光层的量子点光刻胶,该光刻胶包含光刻胶母液、具有硫醇表面配体的量子点以及载流子传输材料。该光刻胶图案化后可获得具有纳米级别厚度的量子点发光层,从而可应用于QLED。本发明还涉及由本发明量子点...
该专利属于北京师范大学所有,仅供学习研究参考,未经过北京师范大学授权不得商用。
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