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本申请公开了一种获取晶圆边缘的导通电阻的方法，涉及半导体制造领域。该方法包括利用若干个样本晶圆，建立导通电阻漂移值与偏移距离的拟合函数模型，偏移距离是晶圆边缘与测量夹具的中心区域内预定位置之间的距离；获取待测试晶圆边缘的导通电阻，记为初始导...
该专利属于华虹半导体(无锡)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体(无锡)有限公司授权不得商用。

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