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本发明提供一种氧化膜的成膜方法、半导体装置的制造方法及氧化膜的成膜装置。能够形成氧空位少的氧化膜。该成膜方法作为氧化膜的成膜方法，具有：将溶解有所述氧化膜的材料的溶液的喷雾与氧浓度为21vol％以下的载气一起供给到基板的表面，从而使所述氧化...该专利属于丰田自动车株式会社;国立大学法人京都工芸纤维大学所有，仅供学习研究参考，未经过丰田自动车株式会社;国立大学法人京都工芸纤维大学授权不得商用。