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本实用新型公开了一种栅极结构，包含一有源区、一第一栅极介电层位于所述有源区上、遮蔽层位于所述第一栅极介电层上且分别位于所述栅极结构两侧的边缘部位、一第二栅极介电层共形地位于所述第一栅极介电层与所述遮蔽层上、一栅极导电层位于所述第二栅极介电层...
该专利属于福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。

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