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本发明公开了一种晶格失配型三结砷化镓太阳电池及制作方法，自下向上依次为Ge衬底、底电池、GaAs/InGaAs缓冲层、中底隧穿结、GaAs缓冲层，In(Al)GaAs缓冲层，DBR，中电池、中顶隧穿结、顶电池和盖帽层；其中，In(Al)Ga...
该专利属于南昌凯迅光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南昌凯迅光电有限公司授权不得商用。

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