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本发明公开了一种基于p型NiO薄膜和斜面终端结构的肖特基二极管，主要解决现有肖特基二极管器件击穿电压过低无法广泛应用在高压高功率器件中的问题。其自下而上包括：欧姆接触金属Au层、欧姆接触金属Ti层、高掺杂n型Ga...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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