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本发明公开了一种自对准双凹槽砷化镓场效应晶体管的制作方法，在外延基底上采用两种不同的光刻胶形成T型窗口后，首先蚀刻N型重掺杂GaAs层形成第一预制槽，然后采用湿法蚀刻工艺蚀刻第一预制槽底部的N型掺杂GaAs层同时横向蚀刻第一预制槽侧壁的N型...
该专利属于厦门市三安集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门市三安集成电路有限公司授权不得商用。

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