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本发明涉及一种碳化硅功率二极管器件的制备方法，在SiC衬底的第一表面生长具有N型有源区的SiC外延层；在SiC外延层表面沉积第一阻挡层，通过蚀刻打开N型有源区内的注入窗口，在N型有源区的注入窗口进行离子注入；通过高温激活，N型有源区形成间隔...
该专利属于厦门市三安集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门市三安集成电路有限公司授权不得商用。

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