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本发明提供一种氮化镓肖特基二极管及其制备方法，通过MOCVD法形成锥形氮化镓层凸起及氮化镓层，锥形氮化镓层凸起的掺杂浓度大于氮化镓层，且锥形氮化镓层凸起与氮化镓层形成缺陷合拢区，使得缺陷集中化；在采用腐蚀液剥离生长衬底的过程中可在缺陷合拢区...
该专利属于上海芯元基半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海芯元基半导体科技有限公司授权不得商用。

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