温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种改善铜互连工艺中丘状凸起缺陷的方法，包括：步骤S1，形成铜衬底图形的半导体器件；步骤S2，在半导体器件的表面沉积300℃～350℃的碳化硅薄膜作为作为铜溢出阻挡层；步骤S3，碳化硅薄膜沉积后利用300℃～350℃低温炉管工艺...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。