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本发明提供一种集成电路工艺中的分段沟槽形成方法，在衬底上生长目标膜层；在掩膜版上设计沟槽图形和辅助图形，沟槽图形上设有沟槽分段处，辅助图形位于沟槽分段处的沟槽图形内；用掩膜版在目标膜层上形成光刻胶图形，判断在沟槽分段处的光刻胶是否将沟槽图形...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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