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公开了一种SiC MOSFET器件及其制造方法，所述方法包括提供一具有第一掺杂类型的半导体基底；在所述半导体基底的上表面形成图案化的第一阻挡层；以所述第一阻挡层为掩膜，形成从所述半导体基底的上表面延伸至其内部的源区，所述源区为第一掺杂类型；...
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