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本发明公开了一种栅氧的形成方法，包括步骤：步骤一、在半导体衬底表面形成硬质掩膜层，对浅沟槽形成区域的硬质掩膜层进行刻蚀形成第一开口，对半导体衬底进行刻蚀形成浅沟槽；步骤二、进行刻蚀使第一开口扩大为第二开口；步骤三、以硬质掩膜层为掩膜进行第一...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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