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一种Ｃ／Ｏ比测井用中子管的制造方法，其特征是管壳底部与氘贮存器的连接采用曲面动密封结构，靶参数设计为钛膜厚度１．５～１．９ｍｇ／ｃｍ↑［２］和低吸氚原子比，排气工艺采用装管前分类预除气及装管后低温排气，从而使密封效果好并易于加工，保证了中子...该专利属于中国工程物理研究院应用电子学研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国工程物理研究院应用电子学研究所授权不得商用。
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一种Ｃ／Ｏ比测井用中子管的制造方法，其特征是管壳底部与氘贮存器的连接采用曲面动密封结构，靶参数设计为钛膜厚度１．５～１．９ｍｇ／ｃｍ↑［２］和低吸氚原子比，排气工艺采用装管前分类预除气及装管后低温排气，从而使密封效果好并易于加工，保证了中子...