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本发明提供了一种氧化铜膜/硅晶片复合结构及其制备方法，涉及纳米薄膜材料制备技术领域。本发明以磁控溅射的方法在硅晶片上沉积铜，使铜膜均匀的沉积在硅晶片上；所述铜膜/硅晶片结构在臭氧条件下进行氧化反应，能够将铜膜中的铜氧化成为氧化铜；再经后续的...
该专利属于江西省科学院应用物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过江西省科学院应用物理研究所授权不得商用。

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