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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，所述基底包括衬底和位于所述衬底上的分立的堆栈栅极结构以及选择栅极，所述堆栈栅极结构和选择栅极的侧壁上形成有侧墙层；形成覆盖所述堆栈栅极结构和选择栅极的层间介质层；刻蚀所述堆栈栅极结构和选择...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。