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本发明提供一种半导体电容器及其制作方法，电容器包括：导电基底，所述导电基底中形成有电容槽，所述电容槽包括主沟槽及多个横向凹入所述导电基底内的弧形凹槽；电容介质层，形成于所述导电基底表面及所述电容槽表面；上电极，形成于所述电容介质表面。本发明...
该专利属于芯恩(青岛)集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芯恩(青岛)集成电路有限公司授权不得商用。

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