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本发明涉及单晶硅生产技术领域，具体公开一种减少直拉单晶硅内部气孔的方法。所述方法包括如下步骤：在石英坩埚的圆柱周壁内侧涂覆氢氧化钡涂层；装料，抽空至炉内压力为5～15Torr，调节氩气流量为50～60L/min，将单晶炉的加热器功率调节至熔...该专利属于英利能源(中国)有限公司;河北省凤凰谷零碳发展研究院所有，仅供学习研究参考，未经过英利能源(中国)有限公司;河北省凤凰谷零碳发展研究院授权不得商用。