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本申请具体公开了一种MOSFET制造方法和MOSFET结构，该方法包括在重掺杂的N型硅衬底的上表面，形成轻掺杂的N型外延层；在外延层的设定区域形成沟槽；在所述沟槽之中形成栅氧化层和第一多晶硅；在所述沟槽之外的区域形成P型掺杂区；淀积氮化硅；...
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