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本发明涉及一种单晶金刚石与衬底无损耗快速分离方法，包括步骤：S1、选取表面为(100)晶面的单晶金刚石作为衬底；S2、在所述衬底的表层中形成表面为(100)晶面的非金刚石层；S3、刻蚀所述非金刚石层和所述衬底，形成若干表面为(111)晶面的...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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