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本发明公开了一种全有机高介电、高击穿强度PVDF基介电薄膜制备方法，包括以下步骤：S10，制备改性的聚偏氟乙烯，即MD‑PVDF；S20，制备交联的聚偏氟乙烯，即XL‑PVDF；S30，制备PVDF/XL‑PVDF介电薄膜。本发明提供了一种...
该专利属于杭州电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过杭州电子科技大学授权不得商用。

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