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本发明公开了一种基于悬空掩模和生长薄膜法制备大面积可控纳米沟道的方法，准备一片450微米厚2英寸的单抛<100>硅片和一块有若干2微米宽度微桥结构的掩模版，在清洗后的硅片表面上首先旋涂一层LOR10B底层胶，在硅片上滴上LOR1...
该专利属于南京大学;网络通信与安全紫金山实验室所有，仅供学习研究参考，未经过南京大学;网络通信与安全紫金山实验室授权不得商用。

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