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磁致电阻传感器设备以及制造这样的磁致电阻传感器设备的方法技术
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文档序号:2648500
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为了进一步改进包括:至少一块晶片(10),特别是至少一块硅晶片;以及至少一个传感元件(30),特别是至少一个各向异性磁致电阻传感元件和/或至少一个巨磁电阻(GMR)传感元件,比如至少一个多层巨磁电阻(GMR)传感元件;其中所述传感元件(30...
该专利属于NXP股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过NXP股份有限公司授权不得商用。
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