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本发明公开了一种替代通孔的赝磁性隧道结单元制备方法，涉及磁性随机存储器技术领域，所述该赝磁性隧道结单元，包括赝磁性隧道结(Dummy‑MTJ)参考层、赝磁性隧道结(Dummy‑MTJ)势垒层，其中，赝磁性隧道结(Dummy‑MTJ)的势垒层...
该专利属于上海磁宇信息科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海磁宇信息科技有限公司授权不得商用。

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