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本发明涉及一种GaAs基LED灯珠的封装方法，属于光电子领域，包括：在GaAs衬底上生长GaAs基发光二极管芯片外延层，并通过常规方法制备P电极及N电极；对芯片进行P面切割，在P电极四周形成条形切割道，切割道未将芯片完全分割开；将N面与带磁...
该专利属于山东浪潮华光光电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山东浪潮华光光电子股份有限公司授权不得商用。

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