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本发明提供了一种增强共晶推力的LED芯片结构及其制作工艺，所述LED芯片结构包括辅助层和布拉格反射层，所述布拉格反射层设置在辅助层上，在所述布拉格反射层上设有通孔，在所述辅助层上对应通孔的位置处设有辅助孔，所述布拉格反射层包括交替生长的二氧...
该专利属于湘能华磊光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湘能华磊光电股份有限公司授权不得商用。

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