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本发明提供了一种基于二维P/G/N异质结的光电探测器，包括衬底以及设置在衬底上的源电极、漏电极、二维P型半导体薄片、二维N型半导体薄片和石墨烯薄片；所述二维P型半导体薄片与所述二维N型半导体薄片之间设置有石墨烯薄片，所述二维P型半导体薄片与...
该专利属于深圳大学所有，仅供学习研究参考，未经过深圳大学授权不得商用。

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