温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开的实施例涉及基于碳化硅的电子器件及其制造方法。一种电子器件，包括：碳化硅SiC的半导体本体，该半导体本体具有沿第一方向彼此相对的第一面和第二面，在所述第一面上呈现正电荷载流子，该正电荷载流子形成了正界面电荷；第一导电端子，该第一导电端...
该专利属于国家研究委员会;意法半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过国家研究委员会;意法半导体股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。