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本发明提供一种具有超低功耗的场效应晶体管及其制备方法，属于场效应晶体管技术领域。本发明场效应晶体管创新性地采用具有良好铁电性和稳定性的LiNbO...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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