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提供了具有刺形场板结构和电流扩散区的半导体器件。半导体器件包括：半导体衬底，其具有第一导电类型的漂移区、形成在漂移区上方的第二导电类型的体区、以及通过体区与漂移区分离的第一导电类型的源极区；在半导体衬底中形成的多行刺形场板结构，刺形场板结构...
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