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本发明提供一种抗总剂量电离辐射的超结VDMOS器件，元胞区包括栅氧化层、积累区氧化层、栅多晶硅、第一导电类型体区、第一导电类型体接触区、第二导电类型源区、源极金属、第一导电类型条形区域、第二导电类型条形区域、漏极金属；在元胞区和终端区两个区...
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