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本发明提供了一种沟槽刻蚀方法，包括如下步骤：提供一衬底；在所述衬底上形成刻蚀掩膜层，所述刻蚀掩膜层为开口图形；在所述刻蚀掩膜层的侧壁形成侧墙掩膜层；以所述刻蚀掩膜层和所述侧墙掩膜层作为刻蚀掩膜，对所述衬底进行刻蚀，并形成第一沟槽；去除所述侧...
该专利属于芯恩(青岛)集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芯恩(青岛)集成电路有限公司授权不得商用。

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