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本发明公开了一种判定半导体三极管发生ＢＶ↓［ＣＥＯ］软击穿的测试方法，以ＢＶ↓［ＣＥＯ］的测试条件Ｉ↓［Ｃ］的电流标称值Ｉ↓［ＣＥＯ］１作初始条件，测得对应电压Ｖ↓［ＣＥＯ］１，然后以电流值Ｉ↓［ＣＥＯ］２，作为新增初始条件，测得对应的电压...
该专利属于佛山市蓝箭电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过佛山市蓝箭电子有限公司授权不得商用。

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