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一种亚纳米级高精度光刻写场拼接方法、所用光刻机系统、晶圆及电子束漂移的测定方法。在待光刻的晶圆表面上涂有光敏胶层。光敏胶层表面曝光后，其曝光图形会产生微小的凹凸结构。用纳米触点传感器可以识别这些凹凸结构图形并用其作为原位对准坐标标识。通过对...
该专利属于百及纳米科技(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过百及纳米科技(上海)有限公司授权不得商用。

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