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本发明公开了一种多晶硅层形成方法、多晶硅层以及半导体结构，通过在第一非晶硅层上沉积含碳介电层，在含碳介电层上沉积第二非晶硅层，对沉积有含碳介电层的第一非晶硅层和第二非晶硅层进行退火，使第一非晶硅层和第二非晶硅层转换为第一多晶硅层和第二多晶硅...
该专利属于福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。

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