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本发明属于半导体器件技术领域，特别是指一种宽光谱响应的GaN:ZnO固溶体纳米线光电探测器及其制备方法。该探测器自下而上依次有衬底、绝缘层、单根GaN:ZnO固溶体纳米线、金属电极，单根GaN:ZnO固溶体纳米线、金属电极设置于绝缘层上，金...
该专利属于中国科学院金属研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院金属研究所授权不得商用。

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