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本发明公开了一种改善微透镜工艺中拉线异常的方法，包括以下步骤：步骤一：提供一完成微透镜工艺前的图像传感器芯片，所述芯片的表面上设有第一结构和第二结构，所述第一结构的高度高于所述第二结构的高度；步骤二：在所述芯片的表面上形成填充层，将所述第一...该专利属于上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司授权不得商用。