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本发明公开了一种存储器件的制造方法，包括：提供半导体衬底；形成第一互连结构，所述第一互连结构包括电容器导电柱、位线导电柱以及导电柱之间的第一介质层；形成第一位线导电插塞，所述第一位线导电插塞包括与所述位线导电柱电连接的金属导电柱以及金属导电...
该专利属于无锡拍字节科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡拍字节科技有限公司授权不得商用。

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