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本发明适用于半导体集成封装技术领域，提供了一种硅通孔结构及其制备方法，该硅通孔结构包括：衬底和贯穿衬底上下表面的通孔阵列；通孔阵列中每个通孔包括一个下部孔和至少一个上部孔，每个上部孔均和下部孔连通，每个上部孔的孔径均小于下部孔的孔径。本发明...
该专利属于中国电子科技集团公司第十三研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十三研究所授权不得商用。

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