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本发明公开了一种氮化镓基大功率芯片散热结构，包括散热底板、安装底座，所述散热底板的顶部从下至上依次设置有三氧化二铝衬底层、N型氮化镓子层、P型氮化镓子层和透明导电层，所述散热底板顶部的四角均固定连接有支撑杆，四个所述支撑杆的顶端之间固定连接...
该专利属于清华大学无锡应用技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学无锡应用技术研究院授权不得商用。

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