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本申请提供一种电光晶体薄膜的制备方法、电光晶体薄膜及电光调制器，其中，所述电光晶体薄膜的制备方法包括：准备绝缘体上硅结构，在绝缘体上硅结构的顶层硅上制备保护层前体；用刻蚀法对保护层前体和顶层硅进行刻蚀，形成保护层和硅波导层，其中刻蚀后在保护...
该专利属于济南晶正电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过济南晶正电子科技有限公司授权不得商用。

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