温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种高介电常数高Q值的AlN介质薄膜及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：S1：加热蓝宝石衬底，并在高纯氮气生长空间、以1.2～1.6J/cm...
该专利属于华南师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南师范大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。