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本发明涉及一种降低晶体缺陷的碳化硅单晶制备方法，属于碳化硅单晶制备技术领域。为解决现有碳化硅晶体制备过程容易引入杂质形成缺陷晶体的问题，本发明提供了一种降低晶体缺陷的碳化硅单晶制备方法，包括将碳化硅籽晶柱粘接在坩埚盖上，以碳化硅多晶体为原料...该专利属于哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司授权不得商用。