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本实用新型公开了一种红外焦平面列阵芯片的性能测试装置，包括依次置有的辐射源、光栏、调制盘、带ＺｎＳ窗口的真空电磁屏蔽室。真空室内有４５°反射镜、置在芯片平移台上的低温杜瓦冷头上的芯片、置在信号平移台上的信号探针架，置在固定平台上的接地探针架...该专利属于中国科学院上海技术物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海技术物理研究所授权不得商用。
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本实用新型公开了一种红外焦平面列阵芯片的性能测试装置，包括依次置有的辐射源、光栏、调制盘、带ＺｎＳ窗口的真空电磁屏蔽室。真空室内有４５°反射镜、置在芯片平移台上的低温杜瓦冷头上的芯片、置在信号平移台上的信号探针架，置在固定平台上的接地探针架...